MICROCHIP美國微芯推出業(yè)內容量最大、速度最快的四款串行serial SRAM新器件，為其串行SRAM產品線增添了新的產品組合，目前這些串行SRAM是業(yè)內首批5V電壓工作的產品，于我司其他代理品牌VTI的差別在于電壓稍微較大，我司另外代理品牌VTI的串行SRAM工作電壓目前為3.3V,品牌VTI的容量可以高達64Mbit，，而且為8引腳的封裝8-SOIC設計，更適合體積較小的應用產品，MICROCHIP美國微芯推出的串行SRAM廣泛適用于汽車和工業(yè)應用。器件可通過四路SPI或SQI™協(xié)議可實現(xiàn)高達80 Mbps的速度，為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時數(shù)據(jù)傳送及零寫入時間。
        MICROCHIP美國微芯推出的串行SRAM中其中型號為23LCV512和23LCV1024，可以通過外部電池備份提供無限次耐用性、非易失性RAM低成本低功耗的方案選擇，事實上，憑借其40 Mbps的快速雙SPI（SDI）吞吐量以及低運行電流和休眠電流，這些串行NVSRAM器件可以高速工作，沒有并行NVSRAM高引腳數(shù)的缺點，其功耗可媲美FRAM，且價格更為低廉。這將有利于電表、黑匣子及其他數(shù)據(jù)記錄應用，這些應用需要無限耐用性或瞬時寫入以及非易失性存儲。
 
以下是串行SRAM的型號參考：

BRAND	Density	Part number	Voltage	Speed(MHz)	Temp.-Range	PKG
MICROCHIP	1Mb	23A1024	1.7 - 2.2V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	1Mb	23LC1024	2.5 - 5.5V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	1Mbit	23LCV1024	2.5 - 5.5	20	-40°C to +85°C	SPI,SDI
MICROCHIP	512Kb	23A512	1.7 - 2.2V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	512Kb	23LC512	2.5 - 5.5V	20	-40℃ to +125℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	512Kbit	23LCV512	2.5 - 5.5	20	-40°C to +85°C	SPI,SDI
MICROCHIP	256Kb	23A256	1.7-1.95V	16	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	256Kb	23K256	2.7-3.6V	20	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	64Kb	23A640	1.7-1.95V	16	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP	64Kb	23K640	2.7-3.6V	20	-40℃ to +85℃	SOIC, PDIP, TSSOP
VTI	64Mbit	VTI7064LSM	1.8	133	C,I	8-SOIC
VTI	64Mbit	VTI7064MSM	3	20	C,I	8-SOIC
VTI	64Mbit	VTI7064MSM	3	133	C,I	8-SOIC
VTI	64Mbit	VTI7064LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	32Mbit	VTI7032LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	32Mbit	VTI7032LSM	1.8	133	C,I	8-SOIC
VTI	16Mbit	VTI7016LSM	1.8	133	C,I	8-SOIC
VTI	16Mbit	VTI7016LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	1Mbit	VTI7001NSM	3.3	20	C,I	8-SOIC
VTI	1Mbit	VTI7001LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	512Kbit	VTI7512NSM	3.3	20	C,I	8-SOIC
VTI	512Kbit	VTI7512LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	256Kbit	VTI7256NSM	3.3	20	C,I	8-SOIC
VTI	256Kbit	VTI7256LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC
VTI	128Kbit	VTI7128NSM	3.3	20	C,I	8-SOIC
VTI	128Kbit	VTI7128LSM	1.8	20	C,I	8-SOIC

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