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NOR Flash和NAND Flash性能比較

2017-08-04 09:48:30

NOR Flash和NAND Flash性能比較:


  flash閃存是非易失存儲(chǔ)器,可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。


        NAND FLASH器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的,而NOR FLASH則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為1。

 
  由于擦除NOR器件時(shí)是以64~128KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s,與此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距,根據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示,對(duì)于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時(shí)),更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣,當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí),設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素:

 
   ● NAND的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。
 
   ● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
 
   ● NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。 
 
       ● NAND的寫入速度比NOR快很多。
 
    ● 大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。
 
 
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