磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁（Integrated Magnetic）產品的領導廠商Everspin科技公司日前推出4Mb MRAM， 進一步強化了該公司在MRAM領域的領導地位。現在所有需要無電數據保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性優(yōu)勢的MRAM技術。
 
Everspin科技公司表示將對MRAM產品線進行持續(xù)性快速的拓展，以便更多客戶實現對產品差異化設計。也將不斷提高MRAM產品的容量，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性。"
 
MR4A16BYS35是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無限制的讀/寫循環(huán)。在每次寫入后，資料能持續(xù)保存超過20年。此外與其它存儲器不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產生的軟錯誤率(SER, soft error rate)。這款16Mb MRAM由引腳和功能可與異步SRAM兼容。MMR4A16BYS35目標應用為工業(yè)自動化、機器人、網絡和數據儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設計的系統(tǒng)。

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