近幾年來(lái)，臺(tái)積電在全球各地也新建、規(guī)劃了數(shù)座12英寸晶圓廠。2025年臺(tái)積電將會(huì)有不少新產(chǎn)能開(kāi)始陸續(xù)達(dá)產(chǎn)，其位于臺(tái)灣的兩座12英寸晶圓廠在2025年開(kāi)始量產(chǎn)，這兩座晶圓廠專為2nm及以下制程建設(shè)。其中，在新竹市的Fab 20計(jì)劃2025年進(jìn)行試產(chǎn)，試產(chǎn)線月產(chǎn)能為3,000-3,500片，到年底月產(chǎn)能達(dá)5萬(wàn)片晶圓，2026年目標(biāo)月產(chǎn)能12至13萬(wàn)片；在高雄市的Fab 22 2025年下半年量產(chǎn)，該工廠服務(wù)于AI、5G、IoT等高增長(zhǎng)領(lǐng)域。
 
  另?yè)?jù)臺(tái)積電此前公布的規(guī)劃，該公司將在美國(guó)亞利桑那州分階段擴(kuò)建至6座晶圓廠，同時(shí)還將配備2座先進(jìn)的封裝設(shè)施和1座研發(fā)中心，共同構(gòu)建起一個(gè)全面的半導(dǎo)體制造生態(tài)系統(tǒng)。業(yè)內(nèi)分析師認(rèn)為，臺(tái)積電可能會(huì)以其在該州的首座晶圓廠(Fab 21)為基礎(chǔ)，分三期建設(shè)最終形成包含6座工廠的千兆級(jí)晶圓廠集群，目標(biāo)是主導(dǎo)3nm及更先進(jìn)制程產(chǎn)能。
 
  如今，F(xiàn)ab 21已經(jīng)量產(chǎn)(4nm)芯片，其目標(biāo)月產(chǎn)能為2.4萬(wàn)片。此外，臺(tái)積電還計(jì)劃后續(xù)在亞利桑那州生產(chǎn)更先進(jìn)的芯片，2026年實(shí)現(xiàn)3nm量產(chǎn)，2030年實(shí)現(xiàn)2nm量產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電在亞利桑那州所有晶圓廠建設(shè)完畢后，該公司大概會(huì)有30%的2nm芯片將在美國(guó)制造。不過(guò)，受成本超支、人才短缺等問(wèn)題影響，后續(xù)擴(kuò)建進(jìn)度滯后于原計(jì)劃。臺(tái)積電2025年財(cái)報(bào)顯示，該項(xiàng)目已經(jīng)連續(xù)四年虧損，業(yè)界推測(cè)，臺(tái)積電可能優(yōu)先完成‌3-4座工廠‌的階段性目標(biāo)，后續(xù)視供應(yīng)鏈和市場(chǎng)需求再行決策。
 
  為滿足歐洲汽車及工業(yè)領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的產(chǎn)能需求。臺(tái)積電還與博世、英飛凌及恩智浦半導(dǎo)體在德國(guó)德累斯頓共同投資建設(shè)了歐洲半導(dǎo)體制造公司(ESMC)，臺(tái)積電持有70%的股份，博世、英飛凌和恩智浦半導(dǎo)體各占股10%。該工廠將采用臺(tái)積電在28/22nm平面CMOS及16/12nm FinFET前沿工藝技術(shù)，每月生產(chǎn)4萬(wàn)片12英寸晶圓，預(yù)計(jì)在2027年投產(chǎn)。


本文關(guān)鍵詞：晶圓 

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