隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，SRAM由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。
 
隨機(jī)存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對(duì)它進(jìn)行讀寫操作，但當(dāng)電源斷開時(shí)，存儲(chǔ)信息便會(huì)消失。SRAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式是依靠一對(duì)反相器以閉環(huán)形式連接的存儲(chǔ)電路，它的代碼的讀出是非破壞性的，并不需要相應(yīng)的刷新電路，因此它的存取速度比DRAM要快。但是SRAM需要用更多的晶體管來(lái)存儲(chǔ)一位的信息（采用六管單元或四管兩電阻單元儲(chǔ)存一位數(shù)據(jù)），因而其位密度比其它類型的低，造價(jià)也高。靜態(tài)存儲(chǔ)器多用于二級(jí)高速緩存。
 
介紹一款偉凌創(chuàng)芯（EMI）1Mbit國(guó)產(chǎn)異步低功耗SRAM芯片EMI501HB08PM-55I，該產(chǎn)品采用EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。支持工業(yè)溫度范圍-40℃~85℃。EMI501HB08PM-55I采用32SOP芯片級(jí)封裝，電源電壓為4.5V~5.5V，以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的用戶靈活性設(shè)計(jì)。還支持低數(shù)據(jù)保留電壓，用于以低數(shù)據(jù)保留電流進(jìn)行電池備份操作。
 
特征
●工藝技術(shù)：90nm Full CMOS
●組織：128KX8bit
●電源電壓：4.5V~5.5V
●三態(tài)輸出，TTL兼容
●標(biāo)準(zhǔn)32SOP
●工業(yè)操作溫度
 
關(guān)于偉凌創(chuàng)芯（EMI）
安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責(zé)任公司是一家以市場(chǎng)為導(dǎo)向的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司。專注SRAM存儲(chǔ)、顯示驅(qū)動(dòng)，接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售。公司擁有國(guó)際知名設(shè) 計(jì)專家及工作經(jīng)驗(yàn)豐富工程師研發(fā)團(tuán)隊(duì)，與國(guó)內(nèi)知名前后道生產(chǎn)合作伙伴緊密合作。深挖客戶應(yīng)用，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，融合世界前沿的技術(shù)理念快速響應(yīng)客戶的變化需求，為行業(yè)客戶提供高品質(zhì)、低成本，供貨持續(xù)穩(wěn)定的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語(yǔ)音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。


本文關(guān)鍵詞：EMI501HB08PM-55I

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