everspin 并行MRAM芯片MR4A16BMA35R
2018-05-18 15:00:48
Everspin MR4A16BMA35R容量：16Mb數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)：1Mb*16總線速度：35ns工作電壓：3.3V工作溫度：C,M（-0~+70攝氏度）16位并行總線接口，數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。這款并行mram器件能夠在商業(yè)級(jí)（0至+70 °C）、工業(yè)級(jí)（-40至+85 °C）與擴(kuò)展級(jí)（-40至+105 °C）溫度范圍內(nèi)工作，并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。MR4A16B采用48引腳球柵陣列 (BGA) 小型封裝和54引腳微小外形封裝 (TSOPII)。
特性
讀取/寫入周期時(shí)間：35ns
真正無(wú)限次擦除使用
業(yè)內(nèi)最長(zhǎng)的壽命和數(shù)據(jù)保存時(shí)間----超過20年的非揮發(fā)特性
可取代多種存儲(chǔ)器----集閃存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身
采用MRAM取代電池供電的SRAM方案，解決了電池組裝、可靠性以及責(zé)任方面的問題
掉電數(shù)據(jù)自動(dòng)保護(hù)
具備商業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)、擴(kuò)展級(jí)和汽車級(jí)的可選溫度范圍
符合RoHS、兼容SRAM 的TSOPII封裝
符合RoHS、兼容SRAM 的BGA封裝（板面積縮小了3倍）
16位并行總線接口MRAM
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
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