FeRAM鐵電存儲器是通過利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
 
    FeRAM技術(shù)特點：
 
    非易失性：FeRAM最顯著的特點是其在斷電后數(shù)據(jù)不會丟失，是非易失性存儲器；
    高速讀寫：FeRAM的讀寫速度相對較快，存取時間通常在50ns左右，循環(huán)周期約為75ns，這使得它在需要快速數(shù)據(jù)訪問的場合具有優(yōu)勢；
    壽命長：FeRAM具有較高的讀寫耐久性，通常能夠達到數(shù)十億次的讀寫循環(huán)，遠超過傳統(tǒng)的EEPROM和閃存；
?    低功耗：由于FeRAM在存儲數(shù)據(jù)時不需要額外的電源來維持數(shù)據(jù)狀態(tài)，因此功耗相對較低；
?    可靠性高：兼容CMOS工藝，工作溫度范圍寬，可靠性高。
 
    FeRAM存儲密度較低、容量有限，雖無法完全取代DRAM與NANDFlash，但在對容量要求不高、讀寫速度和頻率要求高、使用壽命要求長的場景中擁有發(fā)展?jié)摿Γm用于智能手表、智能卡、物聯(lián)網(wǎng)設備等消費電子領(lǐng)域，以及汽車和工業(yè)機器人領(lǐng)域。
 
 
本文關(guān)鍵詞：FeRAM,FRAM

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