FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器，它使用鐵電膜作為電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，即使數(shù)據(jù)沒(méi)有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫(xiě)，高讀寫(xiě)耐久性，低功耗，防竄改等方面具有優(yōu)勢(shì)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特點(diǎn)，具有高速寫(xiě)數(shù)據(jù)，低功耗，高速讀/寫(xiě)周期等優(yōu)點(diǎn)。
 
富士通型號(hào)MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM，可在125℃高溫下正常工作，工作電壓可低至1.7V至1.95V，并設(shè)有串行外設(shè)接口(SPI)。這種全新的FRAM產(chǎn)品是汽車(chē)電子控制單元的最佳選擇，它能滿足汽車(chē)市場(chǎng)對(duì)諸如ADAS這樣的低功耗電子器件的高端需求。
   
   
FRAM的讀/寫(xiě)耐久性、寫(xiě)速度和功耗都比EEPROM和FRAM好，我們的FRAM被那些不滿足傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器性能的用戶所接受。
 
富士通不斷推出64Kbit~2Mbit汽車(chē)級(jí)FRAM產(chǎn)品，工作電壓3.3V或5V。但是高端汽車(chē)電控單元的推出，使一些用戶開(kāi)始要求FRAM電壓不超過(guò)1.8V。這款全新的FRAM是富士通公司為滿足這個(gè)市場(chǎng)需求而推出的。
 
在-40°C至+125°C的溫度范圍內(nèi)，MB85RS2MLY的讀/寫(xiě)次數(shù)可達(dá)10MB，適合某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用，如連續(xù)10年每天記錄0.1秒的數(shù)據(jù)，寫(xiě)入次數(shù)將超過(guò)30億。本產(chǎn)品的可靠性測(cè)試符合AEC-Q100Grade1標(biāo)準(zhǔn)，并通過(guò)了汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品認(rèn)證。所以就數(shù)據(jù)寫(xiě)入耐久性和可靠性而言，富士通電子最近推出的鐵電存儲(chǔ)器FRAM完全支持ADAS等應(yīng)用，需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄。

該FRAM產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8-pin SOP封裝，可以很容易地替代現(xiàn)有的EEPROM，類似于管腳。提供8-pinDFN(無(wú)引線雙面平面)封裝，外形尺寸5.0mmx6.0mmx0.9mm。

   
關(guān)鍵規(guī)格
• 組件型號(hào)：MB85RS2MLY
 
• 容量（組態(tài)）：2 Mbit（256K x 8位）
 
• 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
 
• 運(yùn)作頻率：最高50 MHz
 
• 運(yùn)作電壓：1.7伏特 - 1.95伏特
 
• 運(yùn)作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度
 
• 讀∕寫(xiě)耐用度：10兆次 (1013次)
 
• 封裝規(guī)格：8-pin SOP與8-pin DFN
 
• 認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)：符合AEC-Q100 Grade 1


本文關(guān)鍵詞： FRAM

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